01
主要指標
FY2026（2026年3月期・IFRS）売上収益
2兆3,376億円
+37.0% 前期比
偏差値 49.5
プライム平均比 0.76倍 ・ 225平均比 0.76倍
営業利益
8,704億円
+92.7% 前期比
営業利益率
37.2%
+10.8pt 前期比
親会社帰属利益
5,545億円
+103.6% 前期比
ROE
51.9%
+6.0pt 前期比
偏差値 75.3
プライム平均比 4.94倍 ・ 225平均比 4.93倍
従業員数（連結）
15,218人
+176人 前期比
偏差値 43.1
プライム平均比 0.36倍 ・ 225平均比 0.36倍
平均年間給与提出会社
1,306.6万円
+13.8% 前期比
偏差値 60.7
プライム平均比 1.31倍 ・ 225平均比 1.31倍
自己資本比率
37.9%
+12.6pt 前期比
偏差値について（母集団32社・算式・分布図・内訳）
式: 偏差値 = 50 + 10 × (x − μ) ÷ σ（μ・σは母集団32社の平均・母標準偏差）。各社の直近期の値を使用。カード内の「偏差値」表示はこの式で算出した値です。
売上収益2兆3,376億円 → 偏差値 49.5
ROE51.9% → 偏差値 75.3
従業員数（連結）15,218人 → 偏差値 43.1
平均年間給与1,306.6万円 → 偏差値 60.7
平均勤続年数13.9年 → 偏差値 41.8
平均年齢46.2歳 → 偏差値 60.8
目盛=偏差値（薄帯は40–60、±1σ）当社 母集団の他31社（ホバー/フォーカスで社名と実額）
| 社名 | 売上収益 | ROE | 従業員数（連結） | 平均年間給与 | 平均勤続年数 | 平均年齢 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| キオクシアホールディングス株式会社 | 2兆3,376億円49.5 | 51.9%75.3 | 15,218人43.1 | 1,306.6万円60.7 | 13.9年41.8 | 46.2歳60.8 |
| ソニーグループ株式会社 | 12兆4,796億円84.5 | — | 94,900人55.6 | 1,155.1万円55.6 | 16.0年48.5 | 42.7歳48.4 |
| 株式会社日立製作所 | 10兆5,868億円78.0 | 12.9%49.6 | 287,901人85.7 | 995.0万円50.2 | 18.1年55.2 | 42.2歳46.7 |
| パナソニックホールディングス株式会社 | 8兆487億円69.2 | 3.8%43.7 | 183,685人69.4 | 988.1万円50.0 | 18.6年56.8 | 44.1歳53.4 |
| 三菱電機株式会社 | 5兆8,947億円61.8 | 9.7%47.5 | 150,386人64.2 | 913.5万円47.5 | 15.3年46.2 | 40.5歳40.6 |
| キヤノン株式会社 | 4兆6,247億円57.4 | 9.7%47.5 | 165,547人66.6 | 881.7万円46.5 | 18.9年57.8 | 44.3歳54.1 |
| 日本電気株式会社 | 3兆5,827億円53.8 | 13.0%49.7 | 101,800人56.6 | 993.9万円50.2 | 17.3年52.6 | 43.1歳49.9 |
| 富士通株式会社 | 3兆5,030億円53.5 | 23.9%56.9 | 99,203人56.2 | 1,012.3万円50.8 | 17.6年53.6 | 42.7歳48.4 |
| 株式会社リコー | 2兆6,083億円50.4 | 5.1%44.5 | 75,635人52.5 | 906.2万円47.3 | 20.0年61.3 | 45.4歳58.0 |
| ＴＤＫ株式会社 | 2兆5,048億円50.1 | 9.8%47.6 | 106,545人57.4 | 921.2万円47.8 | 16.9年51.4 | 43.0歳49.5 |
| 東京エレクトロン株式会社 | 2兆4,435億円49.9 | 29.6%60.6 | 20,236人43.9 | 1,380.4万円63.1 | 14.7年44.3 | 43.1歳49.9 |
| 京セラ株式会社 | 2兆702億円48.6 | 4.3%44.0 | 73,856人52.3 | 739.7万円41.7 | 16.0年48.5 | 40.1歳39.2 |
| シャープ株式会社 | 1兆8,928億円48.0 | 21.9%55.6 | 34,549人46.1 | 781.8万円43.1 | 20.1年61.6 | 44.5歳54.8 |
| 株式会社村田製作所 | 1兆8,309億円47.7 | 8.8%46.9 | 74,302人52.3 | 838.2万円45.0 | 14.4年43.4 | 40.5歳40.6 |
| ミネベアミツミ株式会社 | 1兆6,644億円47.2 | 12.1%49.1 | 81,383人53.4 | 785.3万円43.2 | 15.9年48.2 | 45.0歳56.6 |
| セイコーエプソン株式会社 | 1兆4,133億円46.3 | 2.2%42.6 | 74,619人52.4 | 808.7万円44.0 | 18.1年55.2 | 42.9歳49.1 |
| ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 1兆3,212億円46.0 | -2.1%39.8 | 21,629人44.1 | 749.6万円42.0 | 23.4年72.1 | 48.5歳69.0 |
| 富士電機株式会社 | 1兆2,276億円45.7 | 13.1%49.8 | 26,955人44.9 | 841.0万円45.1 | 20.3年62.2 | 44.9歳56.2 |
| 株式会社キーエンス | 1兆1,693億円45.5 | 13.5%50.1 | 12,784人42.7 | 2,178.3万円89.8 | 11.3年33.5 | 35.0歳21.1 |
| 株式会社アドバンテスト | 1兆1,286億円45.3 | 57.6%79.0 | 7,241人41.8 | 1,097.7万円53.7 | 20.2年61.8 | 45.7歳59.0 |
| コニカミノルタ株式会社 | 1兆877億円45.2 | 6.1%45.2 | 34,363人46.1 | 844.1万円45.2 | 20.7年63.5 | 46.4歳61.6 |
| アルプスアルパイン株式会社 | 1兆195億円44.9 | 6.2%45.2 | 25,924人44.8 | 691.4万円40.1 | 16.7年50.7 | 41.7歳44.9 |
| ファナック株式会社 | 8,578億円44.4 | 9.3%47.3 | 10,040人42.3 | 1,144.4万円55.2 | 15.3年46.2 | 40.0歳38.9 |
| オムロン株式会社 | 7,674億円44.1 | 3.5%43.5 | 26,050人44.8 | 888.2万円46.7 | 14.8年44.6 | 44.5歳54.8 |
| 株式会社SCREENホールディングス | 6,057億円43.5 | 20.3%54.5 | 6,884人41.8 | 1,080.2万円53.1 | 13.9年41.8 | 42.0歳46.0 |
| 横河電機株式会社 | 6,048億円43.5 | 11.8%48.9 | 18,313人43.6 | 948.6万円48.7 | 16.0年48.5 | 44.0歳53.0 |
| 株式会社安川電機 | 5,421億円43.3 | 7.7%46.2 | 12,483人42.7 | 860.0万円45.7 | 17.6年53.6 | 42.7歳48.4 |
| ローム株式会社 | 4,811億円43.1 | -19.2%28.5 | 21,756人44.1 | 803.5万円43.8 | 14.0年42.1 | 42.4歳47.4 |
| イビデン株式会社 | 4,162億円42.8 | 12.3%49.2 | 11,105人42.5 | 766.3万円42.6 | 16.9年51.4 | 40.2歳39.6 |
| 太陽誘電株式会社 | 3,553億円42.6 | 4.5%44.1 | 20,604人43.9 | 661.6万円39.1 | 16.4年49.8 | 41.5歳44.2 |
| レーザーテック株式会社 | 2,515億円42.3 | 46.9%72.0 | 1,163人40.9 | 1,680.8万円73.2 | 8.3年23.9 | 40.1歳39.2 |
| 株式会社ソシオネクスト | 2,008億円42.1 | 6.5%45.4 | 2,469人41.1 | 959.0万円49.0 | 9.6年28.0 | 50.6歳76.5 |
下段の小さい数字が偏差値。従業員関連は各社の提出会社（単体）の値。
プライム平均比・225平均比は、各社の直近期実額をそれぞれの母集団平均で割った比率。プライム平均の母集団は本サイト収録データのうち東証プライム市場上場226社、225平均の母集団は日経225採用銘柄225社（2026-04-01時点の構成）。いずれも本サイト収録企業内の単純平均で、市場全体・指数そのものの代表値ではありません。
02
財務の推移
FY2025–FY2026（2期）営業利益率純利益率
営業利益率 = 営業利益 ÷ 売上収益。純利益率 = 親会社帰属利益 ÷ 売上収益。
営業CFフリーCF
フリーCF ＝ 営業CF ＋ 投資CF。
研究開発費設備投資額
| 期 | 基準 | 売上収益 | 営業利益 | 営業利益率 | 税引前利益 | 親会社帰属利益 | 純利益率 | 総資産 | 自己資本 | 自己資本比率 | ROE | ROA | EPS（円） | BPS（円） | 配当（円） | 営業CF | 投資CF | 財務CF | 研究開発費 | 設備投資額 | 従業員（連結） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FY2025 | IFRS | 1,706,460 | 451,748 | 26.5% | 370,669 | 272,315 | 16.0% | 2,919,679 | 737,565 | 25.3% | 45.9% | 9.3% | 519.96 | 1367.49 | — | 476,416 | -173,011 | -322,679 | 132,8007.8% | 225,600 | 15,042 |
| FY2026 | IFRS | 2,337,628 | 870,369 | 37.2% | 784,095 | 554,490 | 23.7% | 3,690,071 | 1,398,929 | 37.9% | 51.9% | 15.0% | 1024.07 | 2561.74 | — | 616,540 | -221,512 | -96,074 | 141,1006.0% | 283,700 | 15,218 |
金額は百万円。営業利益率＝営業利益÷売上収益、純利益率＝親会社帰属利益÷売上収益、自己資本比率＝自己資本÷総資産、ROA＝親会社帰属利益÷総資産、BPSは開示値がない期は自己資本÷発行済株式数の算出値。研究開発費の下段（％）は研究開発費 ÷ 売上収益。
03
統合年表 1987–2025
◆=長期経営構想 ・ ●=沿革 ・ ■=通期決算
- 1987.02昭和62世界初のNAND型フラッシュメモリを発明
- 1991.11平成3NAND型フラッシュメモリの製品化
- 1992.01平成4四日市工場（三重県）を設立
- 2000.05平成12Sandiskグループ（注１）とフラッシュメモリについて協業を開始
- 2001.11平成13多値技術を利用した160ナノメートル（以下「nm」という。）１ギガビットNAND（２ビット／セル(MLC)）を製品化
- 2001.12平成13汎用DRAM事業の撤退を決定
- 2002.04平成14四日市工場でフラッシュメモリを生産するため、Sandiskグループと共同出資でフラッシュビジョン㈲（注２）を設立
- 2005.02平成17四日市工場で300 mmクリーンルームである第３製造棟を稼動
- 2007.06平成19３次元フラッシュメモリ技術（注３）を開発
- 2007.09平成19四日市工場第４製造棟の竣工
- 2009.02平成21４ビット／セル（QLC）をSandiskグループと共同開発
- 2011.07平成23㈱東芝の社内カンパニーとして、セミコンダクター＆ストレージ社（メモリ・SSD事業含む）を設置 四日市工場第５製造棟の竣工
- 2013.02平成25に清算しております。３．３次元フラッシュメモリ技術とは、垂直方向にフラッシュメモリ素子を積み上げる３次元積層構造を取り入れる技術をいい、それを取り入れたフラッシュメモリを３次元フラッシュメモリといいます。３次元フラッシュメモリは、従前の平面構造のフラッシュメモリと比べて大容量化、高速化、信頼性向上、省電力化を実現しております。 (2）旧東芝メモリ株式会社設立以後年月概要
- 2014.04平成2615 nmプロセスを用いた128ギガビットNAND型フラッシュメモリを量産
- 2015.03平成2748層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™のサンプル出荷開始
- 2016.04平成28社内カンパニー名をストレージ＆デバイスソリューション社に変更 年月概要
- 2016.07平成28四日市工場の新第２製造棟の竣工 64層積層プロセスを用いた第３世代BiCS FLASH™のサンプル出荷開始
- 2017.01平成29メモリ事業分社化の方針決定
- 2017.02平成29に株式会社東芝の100％子会社として設立後、株式会社東芝の社内カンパニーであるストレージ＆デバイスソリューション社のメモリ事業（フラッシュメモリ及び関連製品（SSD事業を含み、イメージセンサ事業を除く。））を会社分割により承継しました。旧東芝メモリ株式会社は、
- 2017.02平成2964層積層プロセスを用いた512ギガビットBiCS FLASH™のサンプル出荷開始 （注）１．2000年にSanDisk Corporationと協業を開始しました。同社はWestern Digitalグループと統合後、SanDisk Limited Liability Companyに組織変更しました。
- 2017.02平成29㈱東芝のメモリ・SSD事業の承継を目的として、旧東芝メモリ㈱を設立
- 2017.04平成29㈱東芝から、㈱東芝の社内カンパニーであるストレージ＆デバイスソリューション社のメモリ事業（SSD事業を含み、イメージセンサ事業を除く）を会社分割により承継
- 2017.04平成29㈱東芝からの株式譲受により、国内会社３社（注１）海外会社３社（注２）を関係会社化
- 2017.05平成2964層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™を搭載したNVMe™（注３）SSD（「ＸＧ５シリーズ」）の出荷を開始 香港地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリアジア社（現キオクシアアジア社）を設立 北米及び南米地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリアメリカ社（現キオクシアアメリカ社）を設立
- 2017.06平成29４ビット／セル（QLC）技術を用いたBiCS FLASH™を開発、試作品の提供開始 96層積層プロセスを適用した第４世代BiCS FLASH™を試作 シリコン貫通電極（TSV）技術を適用した３ビット／セル（TLC）のBiCS FLASH™の試作品の提供開始
- 2017.07平成29欧州地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝エレクトロニクス・ヨーロッパ社（注４）が東芝メモリヨーロッパ社（現キオクシアヨーロッパ社）を設立 連結子会社である東芝メモリアジア社が東芝エレクトロニクス・アジア社（注４）よりメモリ関連事業を譲受 ASEAN地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリシンガポール社（現キオクシアシンガポール社）を設立 韓国地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリ韓国社（現キオクシア韓国社）を設立
- 2017.08平成2964層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™を搭載した業界初のエンタープライズSSD（「ＰＭ５シリーズ」「ＣＭ５シリーズ」）のサンプル出荷開始
- 2017.09平成29中国地域でのメモリ製品拡販を目的として、連結子会社の東芝エレクトロニクス（中国）社（現キオクシア中国社）が東芝電子部品（上海）社を設立 連結子会社である東芝メモリ韓国社（現キオクシア韓国社）が東芝エレクトロニクス韓国社（注４）よりメモリ関連事業を譲受 岩手県北上市の北上工業団地エリアに新規拠点の立ち上げを発表 年月概要
- 2017.10平成29東芝エレクトロニクス・ヨーロッパ社（注４）から、東芝メモリヨーロッパ社（現キオクシアヨーロッパ社）の全持分を取得し連結子会社化 東芝メモリアメリカ社（現キオクシアアメリカ社）が東芝アメリカ電子部品社（注４）よりメモリ関連事業を譲受 東芝電子部品（上海）社が東芝エレクトロニクス（中国）社よりメモリ関連事業を譲受 東芝メモリシンガポール社（現キオクシアシンガポール社）が東芝エレクトロニクス・アジア社（注４）よりメモリ関連事業を譲受 東芝メモリアメリカ社（現キオクシアアメリカ社）による東芝アメリカ電子部品社からのメモリ関連事業の譲受及び東芝メモリヨーロッパ社（現キオクシアヨーロッパ社）の連結子会社化に伴い、SSD関連事業を目的とするOCZイスラエル（現キオクシアイスラエル社）、OCZストレージソリューションズ（現キオクシアテクノロジーUK社）を連結子会社化
- 2017.11平成29東芝メモリ台湾社（現キオクシア台湾社）の株式を東芝デバイス＆ストレージ㈱（注４）より取得し連結子会社化
- 2017.12平成29岩手県北上市における製造拠点の立ち上げに向けて、東芝メモリ岩手㈱（現キオクシア岩手㈱）を設立
- 2018.01平成30㈱東芝からの株式譲受により、フラッシュアライアンス有限会社、フラッシュフォワード合同会社、フラッシュパートナーズ有限会社の３社（以下「製造合弁会社３社」という。）（注５）を関連会社化 旧東芝メモリ㈱グループの開発センター清掃業務及びヘルスキーパーを目的として、東芝メモリエトワール㈱（現キオクシアエトワール㈱）を設立
- 2018.04平成3064層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™を搭載したデータセンター向けSSDのラインアップ拡充
- 2018.06平成30㈱東芝は、旧東芝メモリ㈱の全株式をBain Capital Private Equity, L.P.（そのグループを含む）を軸とする企業コンソーシアムにより組成される買収目的会社である㈱Pangeaへ譲渡
- 2018.07平成30サーバー向けの新しいコンセプトのSAS SSDの発売
- 2018.08平成30１日に親会社である株式会社Pangeaを合併存続会社とする吸収合併を実施するとともに、株式会社Pangeaは東芝メモリ株式会社に社名変更しました。更に、
- 2018.08平成30㈱Pangeaは、同社を存続会社として旧東芝メモリ㈱と合併し、同日に「東芝メモリ㈱」に社名変更（現キオクシア㈱）
- 2018.09平成30四日市工場の第６製造棟とメモリ開発センターの竣工 （注）１．東芝メモリアドバンスドパッケージ株式会社（2019年10月にキオクシアアドバンスドパッケージ株式会社に商号変更を実施、2021年４月にキオクシア株式会社に吸収合併）、東芝メモリシステムズ株式会社（現キオクシアシステムズ株式会社）（いずれも連結子会社）、ディー・ティー・ファインエレクトロニクス株式会社（持分法適用関連会社）の３社です。２．東芝エレクトロニクス中国社（現キオクシア中国社）、東芝メモリ半導体台湾社（現キオクシア半導体台湾社）、他１社の３社です。３．NVMe™はNVM Express, Inc.の商標です。４．株式会社東芝の関係会社です。５．当社グループへの製造委託等を目的とする、キオクシア株式会社とSandiskグループが共同出資する会社です。 (3）当社設立以後年月概要
- 2019.03平成31１日に設立されました。当社は
- 2019.03平成31東芝メモリ㈱（現キオクシア㈱）からの単独株式移転により、東芝メモリホールディングス㈱（現キオクシアホールディングス㈱）を設立
- 2019.05令和元大容量データへの高速アクセスに対応した２テラバイトのクライアントSSDプレミアムモデル（XG6-P）の開発
- 2019.06令和元㈱日本政策投資銀行に対する非転換社債型優先株式の発行及び金融機関からのシンジケートローンによる資金調達を実行
- 2019.07令和元、キオクシアイスラエル社は
- 2019.08令和元ストレージクラスメモリ「XL-FLASH™」のサンプル出荷開始 新しいリムーバブルPCIe®（注１）／NVMe™メモリデバイス「XFMEXPRESS™」を開発 台湾・LITE-ON社のSSD事業の買収計画を公表
- 2019.08令和元、キオクシア中国社は
- 2019.10令和元１日に東芝メモリホールディングス株式会社からキオクシアホールディングス株式会社に社名を変更しました。 東芝メモリ株式会社（以下「旧東芝メモリ株式会社」という。）は、
- 2019.10令和元１日の当社の社名変更に伴い、社名をキオクシア株式会社に変更しました。キオクシアとは、日本語の「記憶（KIOKU）」と、ギリシャ語の「価値（AXIA）」に由来します。メモリ事業を担う企業グループとして、デジタル社会の未来を加速し、世界に新たな価値を創造していきます。 以下では、旧東芝メモリ株式会社及びキオクシア株式会社の沿革についても記載しております。また、旧東芝メモリ株式会社設立前と設立以後に分けて記載し、設立前については株式会社東芝における旧東芝メモリ株式会社の事業に関係する事項について参考情報として記載しています。 当社の事業運営主体の変遷を図示すると、次のようになります。 (1）旧東芝メモリ株式会社設立前（参考情報）年月概要
- 2019.10令和元ブランド名称をキオクシアに刷新したことに伴い、キオクシアHDを含むグループ会社の社名変更（注２） キオクシア㈱北上工場（岩手県）第１製造棟の竣工 年月概要
- 2020.01令和2112層積層プロセスを適用した第５世代BiCS FLASH™を試作
- 2020.02令和2にそれぞれ社名変更となっております。３．株式会社東芝の関係会社です。
- 2020.03令和2キオクシア㈱は、東芝中国社（注３）より、キオクシア中国社の株式を譲受、完全子会社化 キオクシア㈱は、東芝電子部品（上海）社の保有株式を全て東芝デバイス＆ストレージ㈱（注３）に売却
- 2020.07令和2キオクシア㈱は、台湾・LITE-ONテクノロジー社の子会社であるSolid State Storage Technology Corporationとその関係会社の全株式を取得
- 2021.02令和3162層積層プロセスを適用した第６世代BiCS FLASH™を試作
- 2021.04令和3キオクシア㈱は、キオクシアアドバンスドパッケージ㈱を吸収合併
- 2021.09令和3PCIe® 4.0対応ストレージクラスメモリ（SCM）搭載SSDをサンプル出荷
- 2022.01令和4４ビット／セル（QLC）技術を用いたUFS Ver. 3.1準拠の組み込み式フラッシュメモリをサンプル出荷
- 2022.06令和4キオクシア㈱は、東芝デジタルソリューションズ㈱（注３）より、中部東芝エンジニアリング㈱の株式を譲受、完全子会社化、キオクシアエンジニアリング㈱に社名変更
- 2022.10令和4四日市工場第７製造棟の竣工
- 2022.11令和4大容量ストレージを活用した記憶検索型AIによる画像分類技術を開発
- 2023.03令和5218層積層プロセスを適用した第８世代BiCS FLASH™を試作
- 2023.06令和5横浜テクノロジーキャンパスFlagship棟と新子安テクノロジーフロントの稼働開始
- 2023.08令和5キオクシアエネルギー・マネジメント㈱をキオクシア㈱からの会社分割により設立 エンタープライズ・データセンター向けPCIe® 5.0対応NVMe™ SSDのサンプルを出荷
- 2024.01令和6車載機器向けUFS Ver.4.0準拠の組み込み式フラッシュメモリのサンプルを出荷
- 2024.04令和6メモリ技術研究所を再編し、先端技術研究所を新設
- 2024.07令和6第８世代BiCS FLASH™ 2Tb QLC製品をサンプル出荷
- 2024.12令和6東京証券取引所プライム市場に株式を上場
- 2025.02令和7、Western Digitalグループのフラッシュメモリ事業が分社してSandisk Corporationとして米Nasdaqに上場しました（以下Sandisk Corporationとその関係会社を合わせて「Sandiskグループ」という。）。この分社に伴い、フラッシュメモリ事業に係る資産や契約等はSandiskグループが承継し、その一環として、当社との契約や製造合弁会社の持分等もSandiskグループが承継しました。２．同社は
- 2025.02令和74.8Gb／秒のNANDインターフェーススピードを実現する３次元フラッシュメモリ技術を発表
- FY2025令和7FY2025 通期決算IFRS売上収益 1兆7,065億円 ・ 親会社帰属利益 2,723億円 ・ ROE 45.9%
- 2025.07令和7生成AI向け245.76 TB NVMe™エンタープライズSSDのサンプルを出荷
- 2025.09令和7北上工場第２製造棟の稼働開始 （注）１．PCIe®は、PCI-SIGの登録商標です。PCIe®とは、SSDのインターフェースの規格で、従来のSATAより、高速のデータ転送が可能です。２．キオクシアテクノロジーUK社は
- FY2026令和8FY2026 通期決算IFRS売上収益 2兆3,376億円 ・ 親会社帰属利益 5,545億円 ・ ROE 51.9%
04
従業員
提出会社（単体）給与・年齢・勤続は提出会社（持株会社）の値です。連結従業員15,218人（FY2026）に対し提出会社は140人で、グループ全体の水準を示すものではありません。
| 期 | 従業員数（人） | 平均年間給与（円） | 平均年齢（歳） | 平均勤続（年） |
|---|---|---|---|---|
| FY2025 | 127 | 11,485,500 | 46.5 | 14.5 |
| FY2026 | 140 | 13,066,018 | 46.2 | 13.9 |
05
資本・大株主
2026-03-31現在| 順位 | 株主名 | 持株数（千株） | 持株比率 |
|---|---|---|---|
| 1 | 株式会社東芝 | 96,050 | 17.59% |
| 2 | BCPE Pangea Cayman2, Ltd.（常任代理人 三菱UFJモルガン・スタンレー証券株式会社） | 77,400 | 14.17% |
| 3 | BCPE Pangea Cayman 1A, L.P.（常任代理人 三菱UFJモルガン・スタンレー証券株式会社） | 26,790 | 4.91% |
| 4 | GOLDMAN SACHS INTERNATIONAL（常任代理人 ゴールドマン・サックス証券株式会社） | 20,435 | 3.74% |
| 5 | 日本マスタートラスト信託銀行株式会社（信託口） | 17,240 | 3.16% |
| 6 | BNY GCM CLIENT ACCOUNT JPRD AC ISG (FE-AC)（常任代理人 株式会社三菱UFJ銀行） | 16,227 | 2.97% |
| 7 | MSIP CLIENT SECURITIES（常任代理人 モルガン・スタンレーMUFG証券株式会社） | 12,316 | 2.26% |
| 8 | 株式会社日本カストディ銀行（信託口） | 8,053 | 1.47% |
| 9 | BCPE Pangea Cayman 1B, L.P.（常任代理人 三菱UFJモルガン・スタンレー証券株式会社） | 7,698 | 1.41% |
| 10 | BCPE Pangea Cayman, L.P. | 7,545 | 1.38% |
上位10名 53.1%その他 46.9%
持株比率は記載値（自己株式を控除して算定されたもの）。持株数は千株単位。
06
役員
| 氏名 | 役職 |
|---|---|
| 早坂伸夫 | 代表取締役 |
| ステイシー・スミス（StacyJ.Smith） | 取締役会長執行役員 |
| 杉本勇次 | 取締役 |
| 末包昌司 | 取締役 |
| 鈴木洋 | 社外取締役 |
| マイケル・スプリンター（MichaelR.Splinter） | 社外取締役 |
| 森田功 | 社外監査役（常勤） |
| 畑野耕逸 | 社外監査役（非常勤） |
| 中浜俊介 | 監査役（非常勤） |
役員報酬
| 区分 | 総額 | 員数 |
|---|---|---|
| 取締役（社外取締役を除く） | 46億円 | 2名 |
| 社外役員 | 1.4億円 | 4名 |
総額は開示資料の記載区分別。員数は記載がある区分のみ表示しています。
07
拠点
| 名称 | 所在地 |
|---|---|
| キオクシア㈱四日市工場 | 三重県四日市市 |
| 北上工場 | 岩手県北上市 |
| キオクシアエネルギー・マネジメント㈱四日市工場 | 三重県四日市市 |
| 四日市工場 | 三重県四日市市 |